Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
DR Congo
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
DR Congo
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
RS1G180MNTB
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RS1G180MNTB-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
Description détaillée:
N-Channel 40 V 18A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventaire:
2232 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13525376
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
RS1G180MNTB Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Ta), 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1293 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-HSOP
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
RS1G
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
RS1G180MN
HSMT8 TB Taping Spec
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
846-RS1G180MNCT
RS1G180MNTB-ND
846-RS1G180MNDKR
846-RS1G180MNTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
CSD18503Q5A
FABRICANT
Texas Instruments
QUANTITÉ DISPONIBLE
4931
NUMÉRO DE PIÈCE
CSD18503Q5A-DG
PRIX UNITAIRE
0.54
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
BSC059N04LSGATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
44864
NUMÉRO DE PIÈCE
BSC059N04LSGATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.28
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IPC50N04S55R8ATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
4727
NUMÉRO DE PIÈCE
IPC50N04S55R8ATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.33
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH4007SPS-13
FABRICANT
Diodes Incorporated
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
DMTH4007SPS-13-DG
PRIX UNITAIRE
0.37
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
RUQ050N02TR
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
RQ5E030RPTL
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
RD3U080CNTL1
MOSFET N-CH 250V 8A TO252
RQ3E100BNTB
MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT