RSQ020N03HZGTR
Numéro de produit du fabricant:

RSQ020N03HZGTR

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RSQ020N03HZGTR-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Description détaillée:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)

Inventaire:

1230 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12818193
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SOUMETTRE

RSQ020N03HZGTR Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
134mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.1 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
110 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
950mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TSMT6 (SC-95)
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
RSQ020

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
846-RSQ020N03HZGDKR
846-RSQ020N03HZGTR
846-RSQ020N03HZGCT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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