Numéro de produit du fabricant:
TT8U1TR
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TT8U1TR-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST
Description détaillée:
P-Channel 20 V 2.4A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-TSST
Inventaire:
13524941
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SOUMETTRE
TT8U1TR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Not For New Designs
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
105mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
850 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
1.25W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-TSST
Emballage / Caisse
8-SMD, Flat Lead
Numéro de produit de base
TT8U1
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
TT8U1DKR
TT8U1CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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