Numéro de produit du fabricant:
US6J11TR
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
US6J11TR-DG
Description:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Description détaillée:
Mosfet Array 12V 1.3A 320mW Surface Mount TUMT6
Inventaire:
5885 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13527012
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SOUMETTRE
US6J11TR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
12V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.3A
rds activé (max) @ id, vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
290pF @ 6V
Puissance - Max
320mW
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-SMD, Flat Leads
Ensemble d’appareils du fournisseur
TUMT6
Numéro de produit de base
US6J11
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
US6J11DKR
US6J11CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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