2SK536-TB-E
Numéro de produit du fabricant:

2SK536-TB-E

Product Overview

Fabricant:

Sanyo

DiGi Electronics Numéro de pièce:

2SK536-TB-E-DG

Description:

N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO
Description détaillée:
N-Channel 50 V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount 3-CP

Inventaire:

3000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946019
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SOUMETTRE

2SK536-TB-E Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
50 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
20Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
15 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
200mW (Ta)
Température de fonctionnement
125°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
3-CP
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
2SK536-TB-E Datasheet

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,411
Autres noms
2156-2SK536-TB-E
ONSSNY2SK536-TB-E

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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