Numéro de produit du fabricant:
SCT30N120D2
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SCT30N120D2-DG
Description:
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
Inventaire:
12875915
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SOUMETTRE
SCT30N120D2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1700 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
270W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
HiP247™
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
SCT30
Informations supplémentaires
Forfait standard
490
Classification environnementale et d'exportation
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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