Numéro de produit du fabricant:
STB21N65M5
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STB21N65M5-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
1748 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12945558
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
STB21N65M5 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
MDmesh™ V
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
17A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1950 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
STB21
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
-497-10562-2
-497-10562-1
497-10562-6
497-10562-2
-497-10562-6
497-10562-1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
STP20NE06L
MOSFET N-CH 60V 20A TO220AB
STS15N4LLF3
MOSFET N-CH 40V 15A 8SO
STD6N52K3
MOSFET N-CH 525V 5A DPAK