Numéro de produit du fabricant:
CSD13302W
Product Overview
Fabricant:
Texas Instruments
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CSD13302W-DG
Description:
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Description détaillée:
N-Channel 12 V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Inventaire:
12788616
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
CSD13302W Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
NexFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
12 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
862 pF @ 6 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-DSBGA (1x1)
Emballage / Caisse
4-UFBGA, DSBGA
Numéro de produit de base
CSD13302
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Page produit du fabricant
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
CSD13302W-DG
2156-CSD13302W
TEXTISCSD13302W
296-48118-6
296-48118-1
296-48118-2
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
CSD13302WT
FABRICANT
Texas Instruments
QUANTITÉ DISPONIBLE
337
NUMÉRO DE PIÈCE
CSD13302WT-DG
PRIX UNITAIRE
0.33
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
CSD18543Q3A
MOSFET N-CH 60V 60A 8VSON
CSD22204WT
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
CSD17579Q5AT
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON