2SJ377(TE16R1,NQ)
Numéro de produit du fabricant:

2SJ377(TE16R1,NQ)

Product Overview

Fabricant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Numéro de pièce:

2SJ377(TE16R1,NQ)-DG

Description:

MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
Description détaillée:
P-Channel 60 V 5A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount PW-MOLD

Inventaire:

12890316
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
ufSe
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

2SJ377(TE16R1,NQ) Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
630 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
20W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PW-MOLD
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
2SJ377

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
2SJ377TE16CT-NDR
2SJ377TE16TR-NDR
2SJ377NQTR
2SJ377 (TE16R1,NQ)
2SJ377TE16R1NQ
2SJ377NQCT
2SJ377NQDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR9014PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
1675
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR9014PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.37
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
FQD11P06TM
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
58874
NUMÉRO DE PIÈCE
FQD11P06TM-DG
PRIX UNITAIRE
0.38
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)-DG
PRIX UNITAIRE
0.43
TYPE DE SUBSTITUT
Upgrade
NUMÉRO DE PIÈCE
TJ8S06M3L,LXHQ
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
3443
NUMÉRO DE PIÈCE
TJ8S06M3L,LXHQ-DG
PRIX UNITAIRE
0.29
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
NTD20P06LT4G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
10324
NUMÉRO DE PIÈCE
NTD20P06LT4G-DG
PRIX UNITAIRE
0.37
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
toshiba-semiconductor-and-storage

TK4P60DB(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2883(TE24L,Q)

MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM

toshiba-semiconductor-and-storage

TK31E60X,S1X

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220

toshiba-semiconductor-and-storage

TK7J90E,S1E

MOSFET N-CH 900V 7A TO3P