2SJ377(TE16R1,NQ) Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
630 pF @ 10 V
Dissipation de puissance (max.)
20W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PW-MOLD
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
2SJ377
Informations supplémentaires
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR9014PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
1675
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFR9014PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.37
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PRIX UNITAIRE
0.38
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
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PRIX UNITAIRE
0.43
TYPE DE SUBSTITUT
Upgrade
NUMÉRO DE PIÈCE
TJ8S06M3L,LXHQ
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
3443
NUMÉRO DE PIÈCE
TJ8S06M3L,LXHQ-DG
PRIX UNITAIRE
0.29
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