HN1A01FU-GR,LF
Numéro de produit du fabricant:

HN1A01FU-GR,LF

Product Overview

Fabricant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Numéro de pièce:

HN1A01FU-GR,LF-DG

Description:

TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6

Inventaire:

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SOUMETTRE

HN1A01FU-GR,LF Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 PNP (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
150mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 2mA, 6V
Puissance - Max
200mW
Fréquence - Transition
80MHz
Température de fonctionnement
125°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
US6
Numéro de produit de base
HN1A01

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
HN1A01FU

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
HN1A01FUGRLFTCT
HN1A01FU-GRLFTR
HN1A01FUGRLFTDKR
HN1A01FUGRLFTDKR-DG
HN1A01FU-GR,LF(B
HN1A01FU-GR,LF(T
HN1A01FU-GRLFDKR-DG
HN1A01FUGRLFT
264-HN1A01FU-GR,LFCT
HN1A01FU-GRLFTR-DG
HN1A01FUGRLFTCT-DG
HN1A01FU-GRLFCT
HN1A01FUGRLFTTR-DG
HN1A01FU-GRLFDKR
HN1A01FU-GRLFCT-DG
HN1A01FUGRLFTTR
264-HN1A01FU-GR,LFTR
264-HN1A01FU-GR,LFDKR
HN1A01FU-GR,LKF(T

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
UMT1NTN
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
18393
NUMÉRO DE PIÈCE
UMT1NTN-DG
PRIX UNITAIRE
0.06
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
UMT1NFHATN
FABRICANT
Rohm Semiconductor
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PRIX UNITAIRE
0.07
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