HN1C03FU-A(TE85L,F
Numéro de produit du fabricant:

HN1C03FU-A(TE85L,F

Product Overview

Fabricant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Numéro de pièce:

HN1C03FU-A(TE85L,F-DG

Description:

TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount US6

Inventaire:

12889810
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SOUMETTRE

HN1C03FU-A(TE85L,F Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 NPN (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
300mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 4mA, 2V
Puissance - Max
200mW
Fréquence - Transition
30MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
US6
Numéro de produit de base
HN1C03

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
HN1C03FU-A(TE85LFDKR
HN1C03FU-A(TE85LFCT
HN1C03FU-A(TE85LFTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
QSX8TR
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
300
NUMÉRO DE PIÈCE
QSX8TR-DG
PRIX UNITAIRE
0.17
TYPE DE SUBSTITUT
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