Numéro de produit du fabricant:
HN3A51F(TE85L,F)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HN3A51F(TE85L,F)-DG
Description:
TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
Inventaire:
12889344
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Quantité
Minimum 1
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XF5m
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SOUMETTRE
HN3A51F(TE85L,F) Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
2 PNP (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 2mA, 6V
Puissance - Max
300mW
Fréquence - Transition
100MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-74, SOT-457
Ensemble d’appareils du fournisseur
SM6
Numéro de produit de base
HN3A51
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
HN3A51F(TE85LF)CT
HN3A51FTE85LF
HN3A51F(TE85LF)TR
HN3A51F (TE85L,F)
HN3A51F(TE85LF)DKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
2SA1587-GR,LF
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
37024
NUMÉRO DE PIÈCE
2SA1587-GR,LF-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
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