Numéro de produit du fabricant:
HN4B102J(TE85L,F)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HN4B102J(TE85L,F)-DG
Description:
PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.8A, 2A 750mW Surface Mount SMV
Inventaire:
2900 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12988801
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SOUMETTRE
HN4B102J(TE85L,F) Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN, PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
1.8A, 2A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 200mA, 2V
Puissance - Max
750mW
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-74A, SOT-753
Ensemble d’appareils du fournisseur
SMV
Numéro de produit de base
HN4B102
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
264-HN4B102J(TE85LF)TR
264-HN4B102J(TE85LF)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)DKR
264-HN4B102J(TE85L,F)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)TR
264-HN4B102J(TE85L,F)CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
ULN2803CDWR
50-V, EIGHT-CHANNEL DARLINGTON A
SBC846BDW1T1G-M01
SBC846BDW1T1G-M01
CMLT3474 TR
TRANS NPN/PNP 25V 1A SOT563
