Numéro de produit du fabricant:
RN1101ACT(TPL3)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN1101ACT(TPL3)-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Inventaire:
12889645
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SOUMETTRE
RN1101ACT(TPL3) Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
80 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
4.7 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
4.7 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
30 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Puissance - Max
100 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-101, SOT-883
Ensemble d’appareils du fournisseur
CST3
Numéro de produit de base
RN1101
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
RN1101ACT(TPL3)DKR
RN1101ACT(TPL3)TR
RN1101ACT(TPL3)CT
RN1101ACT (TPL3)
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PDTC143EM,315
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
9936
NUMÉRO DE PIÈCE
PDTC143EM,315-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
NUMÉRO DE PIÈCE
PDTC143TMB,315
FABRICANT
NXP USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
103845
NUMÉRO DE PIÈCE
PDTC143TMB,315-DG
PRIX UNITAIRE
0.03
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