Numéro de produit du fabricant:
RN1102,LF(CT
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN1102,LF(CT-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventaire:
12891646
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SOUMETTRE
RN1102,LF(CT Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
10 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
10 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
250 MHz
Puissance - Max
100 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-75, SOT-416
Ensemble d’appareils du fournisseur
SSM
Numéro de produit de base
RN1102
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RN1102LF(CT
RN1102LF(CTTR
RN1102LF(CT-DG
RN1102LF(CTDKR
RN1102,LF(CB
RN1102LF(CTCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SDTC114EET1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
7017
NUMÉRO DE PIÈCE
SDTC114EET1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.04
TYPE DE SUBSTITUT
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