Numéro de produit du fabricant:
RN1108(T5L,F,T)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN1108(T5L,F,T)-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventaire:
1633 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889393
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SOUMETTRE
RN1108(T5L,F,T) Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Cut Tape (CT)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
22 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
250 MHz
Puissance - Max
100 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-75, SOT-416
Ensemble d’appareils du fournisseur
SSM
Numéro de produit de base
RN1108
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RN1108(T5LFT)TR
RN1108(T5LFT)CT
RN1108(T5LFT)DKR
RN1108T5LFT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SDTC124EET1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
5990
NUMÉRO DE PIÈCE
SDTC124EET1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.04
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
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