Numéro de produit du fabricant:
RN1112ACT(TPL3)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN1112ACT(TPL3)-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Inventaire:
9945 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889332
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SOUMETTRE
RN1112ACT(TPL3) Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Cut Tape (CT)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
80 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
22 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Puissance - Max
100 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-101, SOT-883
Ensemble d’appareils du fournisseur
CST3
Numéro de produit de base
RN1112
Informations supplémentaires
Forfait standard
10,000
Autres noms
RN1112ACT(TPL3)DKR
RN1112ACT(TPL3)CT
RN1112ACT(TPL3)TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PDTC124TM,315
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
PDTC124TM,315-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
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