Numéro de produit du fabricant:
RN1413(TE85L,F)
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN1413(TE85L,F)-DG
Description:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Inventaire:
115 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12890662
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SOUMETTRE
RN1413(TE85L,F) Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
47 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Fréquence - Transition
250 MHz
Puissance - Max
200 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
S-Mini
Numéro de produit de base
RN1413
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RN1413(TE85LF)DKR
RN1413TE85FTR
RN1413TE85,F
RN1413TE85F
RN1413(TE85LF)TR
RN1413TE85FTR-DG
RN1413(TE85LF)CT
RN1413TE85F-DG
RN1413TE85FDKR
RN1413TE85FCT-DG
RN1413TE85FCT
RN1413TE85FDKR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PDTC144TT,215
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
3000
NUMÉRO DE PIÈCE
PDTC144TT,215-DG
PRIX UNITAIRE
0.01
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
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PRIX UNITAIRE
0.02
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