RN2108ACT(TPL3)
Numéro de produit du fabricant:

RN2108ACT(TPL3)

Product Overview

Fabricant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RN2108ACT(TPL3)-DG

Description:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3

Inventaire:

12890877
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SOUMETTRE

RN2108ACT(TPL3) Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires pré-biaisés simples
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
80 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50 V
Résistance - Base (R1)
22 kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
47 kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Puissance - Max
100 mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SC-101, SOT-883
Ensemble d’appareils du fournisseur
CST3
Numéro de produit de base
RN2108

Informations supplémentaires

Forfait standard
10,000
Autres noms
RN2108ACT(TPL3)TR
RN2108ACT(TPL3)CT
RN2108ACT(TPL3)DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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