Numéro de produit du fabricant:
RN4909,LF(CT
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RN4909,LF(CT-DG
Description:
PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 200mW Surface Mount US6
Inventaire:
3000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889864
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SOUMETTRE
RN4909,LF(CT Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
47kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
22kOhms
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
500nA
Fréquence - Transition
200MHz, 250MHz
Puissance - Max
200mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
US6
Numéro de produit de base
RN4909
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RN4909,LF(CB
RN4909LF(CTDKR
RN4909LF(CTCT
RN4909LF(CTTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
Produits Connexes
RN1904FE,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1973(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2963(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
