Numéro de produit du fabricant:
SSM3K37MFV,L3F
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM3K37MFV,L3F-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Description détaillée:
N-Channel 20 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventaire:
33646 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889143
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Quantité
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SOUMETTRE
SSM3K37MFV,L3F Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSIII
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
12 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
VESM
Emballage / Caisse
SOT-723
Numéro de produit de base
SSM3K37
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Autres noms
SSM3K37MFVL3FDKR
SSM3K37MFVL3F(TDKR
SSM3K37MFVL3F(TTR-DG
SSM3K37MFVL3F(TTR
SSM3K37MFVL3FTR
SSM3K37MFVL3F
SSM3K37MFV,L3F(T
SSM3K37MFVL3FCT
SSM3K37MFVL3F(TDKR-DG
SSM3K37MFVL3F(TCT-DG
SSM3K37MFV,L3F(A
SSM3K37MFV,L3F(B
SSM3K37MFVL3F(TCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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