Numéro de produit du fabricant:
SSM6J212FE,LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM6J212FE,LF-DG
Description:
MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Description détaillée:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventaire:
12889356
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SOUMETTRE
SSM6J212FE,LF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
970 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
ES6
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Numéro de produit de base
SSM6J212
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
SSM6J212FELFCT
SSM6J212FE(TE85LFTR-DG
SSM6J212FE(TE85LFTR
SSM6J212FELFDKRINACTIVE
SSM6J212FE(TE85LFDKR-DG
SSM6J212FE(TE85LFCT-DG
SSM6J212FE,LF(CA
SSM6J212FETE85LF
SSM6J212FE(TE85LFCT
SSM6J212FELFCTINACTIVE
SSM6J212FE(TE85L,F
SSM6J212FELFTR
SSM6J212FELFDKR
SSM6J212FELF
SSM6J212FELFTRINACTIVE
SSM6J212FE(TE85LFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
2SK3566(STA4,Q,M)
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