Numéro de produit du fabricant:
SSM6J414TU,LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM6J414TU,LF-DG
Description:
MOSFET P CH 20V 6A UF6
Description détaillée:
P-Channel 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6
Inventaire:
5120 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889311
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SOUMETTRE
SSM6J414TU,LF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1650 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
UF6
Emballage / Caisse
6-SMD, Flat Leads
Numéro de produit de base
SSM6J414
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SSM6J414TULF(TDKR
SSM6J414TULF(TTR
SSM6J414TU,LF(T
SSM6J414TULFDKR
SSM6J414TULF
SSM6J414TU,LFCT
SSM6J414TULF(TCT
SSM6J414TULF(TCT-DG
SSM6J414TULF(TDKR-DG
SSM6J414TULFCT
SSM6J414TULF(TTR-DG
SSM6J414TULFTR
SSM6J414TU,LFDKR
SSM6J414TU,LFTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SSM3K37CT,L3F
MOSFET N-CH 20V 200MA CST3
TK20J60U(F)
MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
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MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
