Numéro de produit du fabricant:
TK11S10N1L,LXHQ
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TK11S10N1L,LXHQ-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 11A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount DPAK+
Inventaire:
3899 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12943586
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SOUMETTRE
TK11S10N1L,LXHQ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVIII-H
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
28mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
850 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
65W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK+
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
TK11S10
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
TK11S10N1L,LXHQ(O
264-TK11S10N1LLXHQCT
264-TK11S10N1LLXHQDKR
264-TK11S10N1LLXHQTR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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