Numéro de produit du fabricant:
TK31E60W,S1VX
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TK31E60W,S1VX-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Description détaillée:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
48 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12890743
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SOUMETTRE
TK31E60W,S1VX Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tube
Série
DTMOSIV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
88mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3000 pF @ 300 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
230W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
TK31E60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
TK31E60W,S1VX(S
TK31E60WS1VX
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP34N65X2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
152
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP34N65X2-DG
PRIX UNITAIRE
3.26
TYPE DE SUBSTITUT
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