Numéro de produit du fabricant:
TK39J60W,S1VQ
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TK39J60W,S1VQ-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Description détaillée:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventaire:
22 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12890771
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SOUMETTRE
TK39J60W,S1VQ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tube
Série
DTMOSIV
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
38.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.9mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4100 pF @ 300 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
270W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3P(N)
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base
TK39J60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
25
Autres noms
TK39J60WS1VQ
TK39J60W,S1VQ(O
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FCA47N60-F109
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
455
NUMÉRO DE PIÈCE
FCA47N60-F109-DG
PRIX UNITAIRE
6.12
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
FCA47N60
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
849
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
6.35
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