TPCF8102(TE85L,F,M
Numéro de produit du fabricant:

TPCF8102(TE85L,F,M

Product Overview

Fabricant:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Numéro de pièce:

TPCF8102(TE85L,F,M-DG

Description:

MOSFET P-CH 20V 6A VS-8
Description détaillée:
P-Channel 20 V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)

Inventaire:

12891019
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SOUMETTRE

TPCF8102(TE85L,F,M Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
-
Série
U-MOSIII
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
30mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1550 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
700mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
VS-8 (2.9x1.5)
Emballage / Caisse
8-SMD, Flat Lead
Numéro de produit de base
TPCF8102

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,000

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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