Numéro de produit du fabricant:
XPJR6604PB,LXHQ
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
XPJR6604PB,LXHQ-DG
Description:
40V; UMOS9; 0.66MOHM; S-TOGL
Description détaillée:
N-Channel 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount S-TOGL™
Inventaire:
2857 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13005807
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SOUMETTRE
XPJR6604PB,LXHQ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSIX-H
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
0.66mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
128 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
11380 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
375W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
S-TOGL™
Emballage / Caisse
5-PowerSFN
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
264-XPJR6604PB,LXHQDKR
264-XPJR6604PB,LXHQTR-DG
264-XPJR6604PBLXHQCT
XPJR6604PB,LXHQ(O
264-XPJR6604PB,LXHQCT
264-XPJR6604PB,LXHQDKR-DG
264-XPJR6604PB,LXHQTR
264-XPJR6604PB,LXHQCT-DG
264-XPJR6604PBLXHQTR
264-XPJR6604PBLXHQDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PJQ4548VP-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ5542-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
E3M0045065K
SIC, MOSFET, 45M, 650V, TO-247-4
