IRFD224
Numéro de produit du fabricant:

IRFD224

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRFD224-DG

Description:

MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Description détaillée:
N-Channel 250 V 630mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Inventaire:

13053325
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SOUMETTRE

IRFD224 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
Emballage
Tube
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
630mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 380mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
260 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-HVMDIP
Emballage / Caisse
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Numéro de produit de base
IRFD224

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
100
Autres noms
*IRFD224

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IRFD224PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
2250
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFD224PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.51
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
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