Numéro de produit du fabricant:
IRFD224
Product Overview
Fabricant:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFD224-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Description détaillée:
N-Channel 250 V 630mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventaire:
13053325
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IRFD224 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
-
Emballage
Tube
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
630mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 380mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
260 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
4-HVMDIP
Emballage / Caisse
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Numéro de produit de base
IRFD224
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
100
Autres noms
*IRFD224
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFD224PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
2250
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFD224PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.51
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
IRF9640SPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
IRFR9220PBF
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
IRFR224TRR
MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK
