SQP25N15-52_GE3
Numéro de produit du fabricant:

SQP25N15-52_GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SQP25N15-52_GE3-DG

Description:

MOSFET N-CH 150V 25A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 150 V 25A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventaire:

13061195
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SOUMETTRE

SQP25N15-52_GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
-
Série
TrenchFET®
Emballage
Tube
État de la pièce
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
52mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2360 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
107W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
SQP25

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
500
Autres noms
SQP25N15-52_GE3TR-ND
SQP25N15-52_GE3DKRINACTIVE
SQP25N15-52_GE3CT-ND
SQP25N15-52_GE3TR
SQP25N15-52_GE3CT
SQP25N15-52_GE3TRINACTIVE
SQP25N15-52_GE3DKR-ND
SQP25N15-52_GE3DKR

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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