Numéro de produit du fabricant:
AUIRFP4310Z
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
AUIRFP4310Z-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 128A TO247AC
Description détaillée:
N-Channel 100 V 128A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventaire:
12826110
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SOUMETTRE
AUIRFP4310Z Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
128A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
6mOhm @ 77A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
188 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7120 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
278W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
25
Autres noms
INFIRFAUIRFP4310Z
SP001522702
2156-AUIRFP4310Z-IT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTH200N10T
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
19
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTH200N10T-DG
PRIX UNITAIRE
4.48
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX200N10P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX200N10P-DG
PRIX UNITAIRE
11.15
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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