FDJ129P
Numéro de produit du fabricant:

FDJ129P

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDJ129P-DG

Description:

MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 FLMP
Description détaillée:
P-Channel 20 V 4.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP

Inventaire:

12839515
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

FDJ129P Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
70mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
780 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.6W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SC75-6 FLMP
Emballage / Caisse
SC-75-6 FLMP
Numéro de produit de base
FDJ129

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
FDJ129PTR-NDR
FDJ129P_NLTR
FDJ129P_NLTR-DG
FDJ129PDKR
FDJ129P_NLCT-DG
FDJ129PCT
FDJ129P_NLCT
FDJ129PTR
FDJ129P_NL
FDJ129PCT-NDR

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

FDL100N50F

MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3

onsemi

HUFA75345S3S

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

onsemi

FDN308P

MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3

onsemi

IRLS630A

MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3