FDN352AP
Numéro de produit du fabricant:

FDN352AP

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDN352AP-DG

Description:

MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Description détaillée:
P-Channel 30 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventaire:

61417 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12849006
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SOUMETTRE

FDN352AP Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
180mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
150 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
FDN352

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
FDN352APTR
FDN352AP-DG
FDN352APDKR
FDN352APCT
2156-FDN352AP-OS
2832-FDN352APTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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