FDS6675A
Numéro de produit du fabricant:

FDS6675A

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDS6675A-DG

Description:

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Description détaillée:
P-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventaire:

12838299
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SOUMETTRE

FDS6675A Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
13mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2330 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
FDS66

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
FDS6675BZ
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
14563
NUMÉRO DE PIÈCE
FDS6675BZ-DG
PRIX UNITAIRE
0.27
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
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