FQA28N15
Numéro de produit du fabricant:

FQA28N15

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FQA28N15-DG

Description:

MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN
Description détaillée:
N-Channel 150 V 33A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-3PN

Inventaire:

12846473
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SOUMETTRE

FQA28N15 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
QFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
33A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
90mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1600 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
227W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3PN
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base
FQA28

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
30
Autres noms
Q2458553

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXTQ50N20P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTQ50N20P-DG
PRIX UNITAIRE
2.44
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PRIX UNITAIRE
2.95
TYPE DE SUBSTITUT
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