NTD2955-1G
Numéro de produit du fabricant:

NTD2955-1G

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

NTD2955-1G-DG

Description:

MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
Description détaillée:
P-Channel 60 V 12A (Ta) 55W (Tj) Through Hole IPAK

Inventaire:

12857823
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SOUMETTRE

NTD2955-1G Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
180mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
750 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
55W (Tj)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
IPAK
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
NTD2955

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
75
Autres noms
ONSONSNTD2955-1G
NTD2955-1G-DG
NTD2955-1GOS
NTD29551G
2156-NTD2955-1G-OS

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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