Numéro de produit du fabricant:
R6007ENX
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
R6007ENX-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Description détaillée:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventaire:
129 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13524399
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SOUMETTRE
R6007ENX Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
390 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FM
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
R6007
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
R6007ENXCT-ND
R6007ENXCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPAN65R650CEXKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
462
NUMÉRO DE PIÈCE
IPAN65R650CEXKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.43
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
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