Numéro de produit du fabricant:
HN1C01FU-GR,LF
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
HN1C01FU-GR,LF-DG
Description:
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
Inventaire:
2091 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12889176
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SOUMETTRE
HN1C01FU-GR,LF Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
2 NPN (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
150mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 2mA, 6V
Puissance - Max
200mW
Fréquence - Transition
80MHz
Température de fonctionnement
125°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ensemble d’appareils du fournisseur
US6
Numéro de produit de base
HN1C01
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
HN1C01FUGRLFTDKR
HN1C01FU-GRLFINACTIVE
HN1C01FU-GRLFTR
HN1C01FUGRLFTCT
HN1C01FU-GRLF
HN1C01FU-GR,LF(T
HN1C01FU-GRLFDKR
HN1C01FUGRLFT
HN1C01FUGRLFTDKR-DG
HN1C01FU-GRLFCT
HN1C01FU-GRLF-DG
HN1C01FUGRLFTCT-DG
HN1C01FU-GR(L,F,T)
HN1C01FUGRLFTTR
HN1C01FUGRLFTTR-DG
HN1C01FU-GR,LF(B
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
UMX1NTN
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
15460
NUMÉRO DE PIÈCE
UMX1NTN-DG
PRIX UNITAIRE
0.06
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
PUMX2,115
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
2990
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PUMX2,115-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
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